存储芯片超级周期延续，涨价逻辑未被破坏

尽管存储芯片股7月2日跟随半导体板块大跌，但存储涨价超级周期的基本面逻辑未被破坏。HBM产能缺口仍达50%-60%，DRAM和NAND合约价Q3有望继续上涨15%-20%。长江存储PE600 600层3D NAND突破，单Die容量达2Tb，计划2027年Q1量产。分析认为，存储芯片是AI确定性最强的受益方向，短期下跌提供布局机会。

2026-07-02 星期四〖阅17〗 全文➣

英伟达GB300即将投产，供应链仍高度景气

尽管Meta自研芯片消息冲击市场情绪，但英伟达GB300（Blackwell架构）的供应链信息显示需求极度旺盛。鸿海、广达、纬创等ODM厂商订单饱满，预计GB300将于Q3末量产出货。英伟达H200仍处于供不应求状态，交货周期维持在40周以上。分析认为，AI算力需求远未见顶，短期情绪错杀后基本面将重新主导定价。

2026-07-02 星期四〖阅21〗 全文➣

台积电3nm产能持续告急，2027年涨价15%-20%

台积电3nm制程产能持续满负荷运转，AI芯片订单大量积压。消息人士透露，台积电已通知客户2027年先进制程价格将上调15%-20%，先进制程毛利率有望从当前58%升至62%。三星公布2nm完整迭代工艺规划，但1.4nm量产节奏落后台积电。全球先进制程"双寡头"格局进一步巩固。

2026-07-02 星期四〖阅19〗 全文➣

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