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尽管存储芯片股7月2日跟随半导体板块大跌，但存储涨价超级周期的基本面逻辑未被破坏。HBM产能缺口仍达50%-60%，DRAM和NAND合约价Q3有望继续上涨15%-20%。长江存储PE600 600层3D NAND突破，单Die容量达2Tb，计划2027年Q1量产。分析认为，存储芯片是AI确定性最强的受益方向，短期下跌提供布局机会。

2026-07-02 星期四〖阅8〗

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