AMD MI400发布对标英伟达B200：通富微电+长电科技供应链受益

AMD 6月27日发布Instinct MI400加速卡，BF16算力达3.8 PFLOPS，HBM3e容量288GB，TDP 750W，直接对标英伟达B200（4.0 PFLOPS/192GB/1000W）。MI400采用台积电3nm工艺+CoWoS-L封装，单卡成本较B200低35%。通富微电（AMD核心封测代工）、长电科技（CoWoS辅助封测）为核心受益标的。机构分析：MI400将进入

2026-06-27 星期六〖阅10〗 全文➣

长江存储PE600技术突破：国产3D NAND堆叠层数追平三星 2027年量产

长江存储6月27日宣布PE600系列3D NAND技术突破，单颗芯片堆叠层数达600层追平三星V-NAND v9（512层），单Die容量2Tb，支持PCIe 5.0 x4接口。PE600将在武汉长存一期工厂2027年Q1量产，二期工厂2027年Q3投产。机构分析：长江存储技术突破将打破三星、SK海力士、美光的NAND垄断格局，2026年国产NAND市场份额将从8%提升至18%，长江存储估值

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SK海力士HBM4E 12层量产：英伟达GB300首批订单 SK独占供应

SK海力士6月27日宣布HBM4E 12层产品正式量产，能效比HBM3E提升40%、容量提升50%（单颗36GB），首批客户为英伟达GB300（Blackwell Ultra），SK海力士独占供应至2026年Q4。三星电子HBM4E获英伟达GB300"二级供应"地位，美光HBM4E预计2026年Q4量产。机构分析：HBM4E是2026年AI芯片最关键瓶颈，SK海力士产能扩张速度决定英伟达GB

2026-06-27 星期六〖阅26〗 全文➣

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