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长江存储6月27日宣布PE600系列3D NAND技术突破，单颗芯片堆叠层数达600层追平三星V-NAND v9（512层），单Die容量2Tb，支持PCIe 5.0 x4接口。PE600将在武汉长存一期工厂2027年Q1量产，二期工厂2027年Q3投产。机构分析：长江存储技术突破将打破三星、SK海力士、美光的NAND垄断格局，2026年国产NAND市场份额将从8%提升至18%，长江存储估值已突破1500亿元。

2026-06-27 星期六〖阅14〗

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