存储芯片超级周期延续，涨价逻辑未被破坏

尽管存储芯片股7月2日跟随半导体板块大跌，但存储涨价超级周期的基本面逻辑未被破坏。HBM产能缺口仍达50%-60%，DRAM和NAND合约价Q3有望继续上涨15%-20%。长江存储PE600 600层3D NAND突破，单Die容量达2Tb，计划2027年Q1量产。分析认为，存储芯片是AI确定性最强的受益方向，短期下跌提供布局机会。

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SK海力士赴美IPO定价166美元，募资294亿美元

SK海力士纳斯达克IPO定价166美元，募资294亿美元创ADR历史纪录，7月14日开启申购。尽管全球半导体股暴跌，但SK海力士HBM产能已全部售罄至2027年，基本面极度扎实。分析认为，本次IPO定价合理，中长期看好，但短期上市时机恰逢芯片股情绪冰点，首日表现存在不确定性。

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韩国宣布2000万亿韩元芯片投资计划，举国押注半导体

三星和SK海力士联合宣布2000万亿韩元（约8.8万亿人民币）的芯片投资计划，涵盖HBM4E、3nm以下先进制程、下一代DRAM等全产业链。韩国政府配套提供税收优惠和基础设施支持。然而7月2日韩国股市半导体板块仍暴跌触发熔断，显示市场短期情绪压倒长期基本面逻辑。

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