据韩国媒体报道,三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4量产和出货时间定在2027年第二季度左右。英伟达将根据基于Rubin Ultra的NVL机架规模同时配备8层HBM4;虽然12层HBM4仍是今年的主要重点,但从明年年中开始8层HBM4比例将显著增加。两家韩国存储大厂已锁定英伟达下一代AI加速平台的HBM供应节奏,HBM产品组合正从高层数版本向更成熟的8层版本过渡。
据渠道调研,MLCC供需收紧出现新细节。三星电机MLCC全品类交期10月已延长至52周,部分代理产品更达61周;国巨主要产品维持30至52周,NIC组件表贴主要产品交期由28至30周扩大至30至40周。需求侧,AI服务器MLCC搭载量是普通服务器的10倍以上。券商认为,日韩产能向高端倾斜后,中小客户订单转向台湾地区及大陆厂商,具备高容、高压、车规级量产能力的国产厂商有望率先受益。
据韩国媒体报道,三星电子已接受英伟达的技术要求,放弃NV HBM的一站式制造方案,改为采用台积电3纳米工艺生产基础裸片,核心裸片统一采用第六代DRAM工艺。这是三星与台积电首次在HBM制造阶段展开合作。分析认为,英伟达统一标准的逻辑在于不同供应商制造方式差异过大,同一设计难以保证性能一致性,半导体供应链的"标准化权力"正从制造端向设计端转移。存储与先进封装环节的竞争格局面临重构。
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