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据韩国媒体报道，三星电子已接受英伟达的技术要求，放弃NV HBM的一站式制造方案，改为采用台积电3纳米工艺生产基础裸片，核心裸片统一采用第六代DRAM工艺。这是三星与台积电首次在HBM制造阶段展开合作。分析认为，英伟达统一标准的逻辑在于不同供应商制造方式差异过大，同一设计难以保证性能一致性，半导体供应链的"标准化权力"正从制造端向设计端转移。存储与先进封装环节的竞争格局面临重构。

2026-10-20 星期二〖阅12〗

标签： 三星 台积电 HBM

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