据悉,SK海力士拟推出50-60万亿韩元的额外股东回报计划,规模远超市场预期。存储芯片行业景气上行,HBM与DRAM供不应求推动SK海力士盈利大幅改善,公司此前曾宣布放弃旗下美国子公司Solidigm的IPO计划。与此同时,两只挂钩SK海力士ADR的杠杆ETF在美国上市仅约3个月即宣布清盘。A股与港股存储链公司近期股价随存储涨价预期波动,SK海力士的回报计划或提振板块情绪。
据韩国媒体报道,三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4量产和出货时间定在2027年第二季度左右。英伟达将根据基于Rubin Ultra的NVL机架规模同时配备8层HBM4;虽然12层HBM4仍是今年的主要重点,但从明年年中开始8层HBM4比例将显著增加。两家韩国存储大厂已锁定英伟达下一代AI加速平台的HBM供应节奏,HBM产品组合正从高层数版本向更成熟的8层版本过渡。
集邦咨询口径显示,2026年第二季度DRAM合约价环比涨幅一度接近80%,第三季度回落至约40%,第四季度预计进一步收窄至约20%。分品类看,第四季度一般型DRAM上涨10%至15%,含HBM的整体DRAM上涨15%至20%,NAND Flash上涨15%至20%,企业级SSD上涨23%至28%居各品类首位,PC用DRAM上涨13%至18%,移动端LPDDR5X环比涨幅为个位数。HBM产能缺
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