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长江存储在3D NAND闪存领域取得重大突破。PE600产品实现600层堆叠，单Die容量达2Tb，预计2027年Q1量产。这标志着中国存储芯片技术从"追赶"进入"局部领先"阶段。与此同时，北京大学团队成功研制全球首款基于相变忆阻器的神经动力学系统芯片，在脑皮层重建等任务中较GPU提速50至478倍，成果发表于《科学》杂志。

2026-07-05 星期日〖阅12〗

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