博世美国芯片工厂正式动工,斥资19亿美元【注册】【登录】

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博世位于美国加州罗斯维尔的新一代碳化硅(SiC)功率半导体工厂7月21日正式动工,总投资19亿美元,预计2027年Q4量产。该工厂将采用8英寸SiC晶圆工艺,主要面向新能源汽车、光伏逆变器、工业控制等高增长市场。博世加速SiC产能布局,与英飞凌、ST、Wolfspeed形成正面竞争。

2026-07-22 星期三〖阅5〗

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