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9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产。该平台依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。同步展出的两款24Gb LPDDR5X产品单颗容量较上一代提升50%，已进入规模量产并进入国产主流旗舰手机。

2026-09-20 星期日〖阅15〗

标签： DRAM

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