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长江存储PE600 600层3D NAND技术突破，单Die容量2Tb，计划2027年Q1量产。公司加速追赶三星、SK海力士、美光等存储巨头。国产存储芯片在NAND领域已实现部分自主可控，但DRAM和高带宽内存HBM仍是短板。国家大基金三期重点投向存储和先进封装，国产替代空间广阔。存储涨价周期为国内存储厂商带来盈利改善机会。

2026-06-28 星期日〖阅6〗

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