三星推出V10 Bonding V-NAND,存储密度提升58%【注册】【登录】

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三星8月4日推出V10 Bonding V-NAND技术,较上一代V9 NAND存储密度提高约58%,进一步巩固在存储芯片领域的技术领先地位。AI大模型训练和推理对高密度存储需求激增,叠加DRAM供不应求将延续至2027年的预测,存储产业持续处于高景气周期。

2026-08-05 星期三〖阅2〗

标签: AI

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